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402V/5.3A常关型Si衬底AlGaN/GaN功率开关器件

文献类型:会议论文

作者曾春红; 赵德胜; 张宝顺; 蔡勇
出版日期2012
会议名称2012全国半导体器件技术、产业发展研讨会
会议日期2012-7-25
会议地点西宁
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/1039]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台
推荐引用方式
GB/T 7714
曾春红,赵德胜,张宝顺,等. 402V/5.3A常关型Si衬底AlGaN/GaN功率开关器件[C]. 见:2012全国半导体器件技术、产业发展研讨会. 西宁. 2012-7-25.

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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