Low-temperature impedance and dielectric relaxation of NiO nanocrystals
文献类型:期刊论文
作者 | L. J. Chen ; L. P. Li and G. S. Li |
刊名 | Journal of Solid State Chemistry
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出版日期 | 2008-08 |
卷号 | 181期号:8页码:2073-2077 |
关键词 | Nio nanocrystals low temperature conductivity dielectric nanostructured nickel-oxide proton conductivity ac-conductivity electrical-conductivity behavior transport films |
ISSN号 | 0022-4596 |
收录类别 | SCI |
原文出处 | http://ac.els-cdn.com/S0022459608001862/1-s2.0-S0022459608001862-main.pdf?_tid=704c7020-3f53-11e2-a02c-00000aacb360&acdnat=1354764017_508878a64cb77e9701c1e6ac70cf27dd |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-01-22 |
源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/350002/5342] ![]() |
专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | L. J. Chen,L. P. Li and G. S. Li. Low-temperature impedance and dielectric relaxation of NiO nanocrystals[J]. Journal of Solid State Chemistry,2008,181(8):2073-2077. |
APA | L. J. Chen,&L. P. Li and G. S. Li.(2008).Low-temperature impedance and dielectric relaxation of NiO nanocrystals.Journal of Solid State Chemistry,181(8),2073-2077. |
MLA | L. J. Chen,et al."Low-temperature impedance and dielectric relaxation of NiO nanocrystals".Journal of Solid State Chemistry 181.8(2008):2073-2077. |
入库方式: OAI收割
来源:福建物质结构研究所
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