Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Hu, WX ; Cheng, BW ; Xue, CL ; Su, SJ ; Liu, Z ; Li, YM ; Wang, QM ; Wang, LJ ; Liu, JQ ; Ding, J ; Lin, GJ ; Lin, ZD |
| 刊名 | thin solid films
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 520期号:16页码:5361-5366 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-02-04 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23534]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hu, WX,Cheng, BW,Xue, CL,et al. Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate[J]. thin solid films,2012,520(16):5361-5366. |
| APA | Hu, WX.,Cheng, BW.,Xue, CL.,Su, SJ.,Liu, Z.,...&Lin, ZD.(2012).Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate.thin solid films,520(16),5361-5366. |
| MLA | Hu, WX,et al."Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate".thin solid films 520.16(2012):5361-5366. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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