硅基MEMS技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郝一龙
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| 刊名 | 机械强度
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| 出版日期 | 2001-12-30 |
| 卷号 | 23期号:4页码:523-526 |
| 关键词 | 微电子机械系统 牺牲层 体硅工艺 深刻蚀 |
| 通讯作者 | 郝一龙 |
| 中文摘要 | 结合MEMS技术的发展历史 ,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质量块和低应力以及三维加工。SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向 ;标准化加工是MEMS研究的重要手段 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/40522]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 通讯作者 | 郝一龙 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝一龙. 硅基MEMS技术[J]. 机械强度,2001,23(4):523-526. |
| APA | 郝一龙.(2001).硅基MEMS技术.机械强度,23(4),523-526. |
| MLA | 郝一龙."硅基MEMS技术".机械强度 23.4(2001):523-526. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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