Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (001) substrates
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, YB ; Zhang, Y ; Zhang, YW ; Wang, BQ ; Zhu, ZP ; Zeng, YP |
| 刊名 | applied surface science
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 258期号:17页码:6571-6575 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2013-02-07 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23552]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, YB,Zhang, Y,Zhang, YW,et al. Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (001) substrates[J]. applied surface science,2012,258(17):6571-6575. |
| APA | Li, YB,Zhang, Y,Zhang, YW,Wang, BQ,Zhu, ZP,&Zeng, YP.(2012).Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (001) substrates.applied surface science,258(17),6571-6575. |
| MLA | Li, YB,et al."Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (001) substrates".applied surface science 258.17(2012):6571-6575. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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