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加载速率对位错发射、层错宽度及位错速度影响

文献类型:期刊论文

作者周国辉; 焦治杰; 武骏; 周富信; 褚武扬
刊名北京科技大学学报
出版日期1999-02-25
卷号21期号:1页码:26
关键词分子动力学 偏位错 位错分解 Cu Al
ISSN号1001-053X
通讯作者周国辉
中文摘要应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下,加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度V_d的影响。结果表明,加载速率对W和V_d有显著影响。随着加载速率的增大,层错宽度减小,位错速度增大。当加载速率达到某一临界值时,能量不仅以发射位错的形式释放,而且形成孪晶,以降低体系的能量。
收录类别EI ; CSCD
语种中文
CSCD记录号CSCD:536684
公开日期2009-08-03 ; 2010-08-20
源URL[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/40694]  
专题力学研究所_力学所知识产出(1956-2008)
推荐引用方式
GB/T 7714
周国辉,焦治杰,武骏,等. 加载速率对位错发射、层错宽度及位错速度影响[J]. 北京科技大学学报,1999,21(1):26.
APA 周国辉,焦治杰,武骏,周富信,&褚武扬.(1999).加载速率对位错发射、层错宽度及位错速度影响.北京科技大学学报,21(1),26.
MLA 周国辉,et al."加载速率对位错发射、层错宽度及位错速度影响".北京科技大学学报 21.1(1999):26.

入库方式: OAI收割

来源:力学研究所

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