Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using SiOxNy Passivation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Huang, JL ; Ma, WQ ; Cao, YL ; Wei, Y ; Zhang, YH ; Cui, K ; Deng, GR ; Shi, YL |
| 刊名 | japanese journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 51期号:7，part 1页码:74002 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-02-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23564]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huang, JL,Ma, WQ,Cao, YL,et al. Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using SiOxNy Passivation[J]. japanese journal of applied physics,2012,51(7，part 1):74002. |
| APA | Huang, JL.,Ma, WQ.,Cao, YL.,Wei, Y.,Zhang, YH.,...&Shi, YL.(2012).Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using SiOxNy Passivation.japanese journal of applied physics,51(7，part 1),74002. |
| MLA | Huang, JL,et al."Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using SiOxNy Passivation".japanese journal of applied physics 51.7，part 1(2012):74002. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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