自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋志棠 |
| 刊名 | 中国材料进展
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 8页码:39 |
| 关键词 | 相变材料:7142 可逆相变:3188 数据保持:2380 纳米结构:2343 信息技术研究:2339 芯片:2187 相变机理:2121 微系统:2108 相变速度:2083 纳米尺度:2030 |
| ISSN号 | 1674-3962 |
| 中文摘要 | 中科院上海微系统与信息技术研究所经过多年努力,发现了自主SiSbTe体系相变材料,验证了SiSbTe具有低于传统Ge2Sb2Te5的功耗、更高的数据保持力和更快的相变速度。因为其与GeSbTe不同的可逆相变机理,发现了Si与SbTe的纳米尺度复合,SbTe相变材料在非晶Si的纳米结构下进行可逆相变,有效地减少了可逆相变的体积,同 |
| 收录类别 | CNKI2012-157 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110893]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠. 自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片[J]. 中国材料进展,2012(8):39. |
| APA | 宋志棠.(2012).自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片.中国材料进展(8),39. |
| MLA | 宋志棠."自主新型SiSbTe相变材料与全功能PCRAM实验芯片".中国材料进展 .8(2012):39. |
入库方式： OAI收割
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