用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蔡梅妮 ; 林友玲 ; 车录锋 ; 苏荣涛 ; 周晓峰 ; 黎晓林 |
| 刊名 | 传感器与微系统
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 12页码:107-110+113 |
| ISSN号 | 1000-9787 |
| 关键词 | 三明治电容式MEMS加速度传感器 自停止腐蚀 品质因数 器件级真空封装 双面划片 |
| 中文摘要 | 设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽,使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞,采用双面划片工艺。划片后,器件的总尺寸为6.8 mm×5.6 mm×1.72 mm,其中,敏感质量块尺寸为3.2 mm×3.2 mm×0.86 mm,检测电容间隙2.1μm。对器件级真空封装后的MEMS加速度传感器进行了初步测试,结果表明:制作的传感器的谐振频率为861 Hz,品质因数Q为76,灵敏度为1.53V/gn,C-V特性正常,氦气细漏 |
| 收录类别 | CNKI2012-149 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110901]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡梅妮,林友玲,车录锋,等. 用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作[J]. 传感器与微系统,2012(12):107-110+113. |
| APA | 蔡梅妮,林友玲,车录锋,苏荣涛,周晓峰,&黎晓林.(2012).用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作.传感器与微系统(12),107-110+113. |
| MLA | 蔡梅妮,et al."用于器件级真空封装的MEMS加速度传感器的设计与制作".传感器与微系统 .12(2012):107-110+113. |
入库方式： OAI收割
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