一种相变存储器读出电路及其快速读出方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李喜 ; 宋志棠 ; 陈后鹏 ; 富聪 ; 丁晟 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 1页码:21-24 |
| 关键词 | 相变存储器 读出电路 灵敏放大器 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 中文摘要 | 针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。 |
| 收录类别 | CNKI2012-016 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110911]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李喜,宋志棠,陈后鹏,等. 一种相变存储器读出电路及其快速读出方法[J]. 微电子学,2012(1):21-24. |
| APA | 李喜,宋志棠,陈后鹏,富聪,&丁晟.(2012).一种相变存储器读出电路及其快速读出方法.微电子学(1),21-24. |
| MLA | 李喜,et al."一种相变存储器读出电路及其快速读出方法".微电子学 .1(2012):21-24. |
入库方式： OAI收割
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