一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡佳俊 ; 陈后鹏 ; 王倩 ; 蔡道林 ; 宋志棠 |
| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 3页码:376-379 |
| 关键词 | LDO 瞬态响应 相位裕度 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 中文摘要 | 分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6dB,启动时间只有16μs,在输出电容为10pF、负载电流以200mA/2μs突变时,最大下冲电压为120mV,上冲电压为160mV。 |
| 收录类别 | CNKI2012-093 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110913]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡佳俊,陈后鹏,王倩,等. 一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计[J]. 微电子学,2012(3):376-379. |
| APA | 胡佳俊,陈后鹏,王倩,蔡道林,&宋志棠.(2012).一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计.微电子学(3),376-379. |
| MLA | 胡佳俊,et al."一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计".微电子学 .3(2012):376-379. |
入库方式： OAI收割
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