相变存储器中灵敏放大器的设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张怡云 ; 陈后鹏 ; 龚亮 ; 王倩 ; 蔡道林 ; 陈一峰 ; 宋志棠 |
| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 6页码:762-764+769 |
| 关键词 | 相变存储器 灵敏放大器 预充电 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 中文摘要 | 设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。 |
| 收录类别 | CNKI2012-147 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110932]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张怡云,陈后鹏,龚亮,等. 相变存储器中灵敏放大器的设计[J]. 微电子学,2012(6):762-764+769. |
| APA | 张怡云.,陈后鹏.,龚亮.,王倩.,蔡道林.,...&宋志棠.(2012).相变存储器中灵敏放大器的设计.微电子学(6),762-764+769. |
| MLA | 张怡云,et al."相变存储器中灵敏放大器的设计".微电子学 .6(2012):762-764+769. |
入库方式： OAI收割
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