石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴渊文 ; 张燕辉 ; 陈志蓥 ; 王彬 ; 于广辉 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 4页码:309-313 |
| 关键词 | 石墨烯 单晶 化学气相沉积 拉曼 电学性质 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著。石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高。 |
| 收录类别 | CNKI2012-132 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110945]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴渊文,张燕辉,陈志蓥,等. 石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响[J]. 功能材料与器件学报,2012(4):309-313. |
| APA | 吴渊文,张燕辉,陈志蓥,王彬,&于广辉.(2012).石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响.功能材料与器件学报(4),309-313. |
| MLA | 吴渊文,et al."石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响".功能材料与器件学报 .4(2012):309-313. |
入库方式： OAI收割
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