深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡志远 ; 刘张李 ; 邵华 ; 张正选 ; 宁冰旭 ; 毕大炜 ; 陈明 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 5页码:92-96 |
| 关键词 | 总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 金属氧化物半导体场效晶体管 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化. |
| 收录类别 | CNKI2012-025 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110947]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡志远,刘张李,邵华,等. 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响[J]. 物理学报,2012(5):92-96. |
| APA | 胡志远.,刘张李.,邵华.,张正选.,宁冰旭.,...&邹世昌.(2012).深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.物理学报(5),92-96. |
| MLA | 胡志远,et al."深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响".物理学报 .5(2012):92-96. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。