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全方位抗过载的压阻式三轴加速度计

文献类型:期刊论文

作者王军诚 ; 吴艳红 ; 孙科 ; 杨恒 ; 李昕欣
刊名传感器与微系统
出版日期2012
期号11页码:87-90
ISSN号1000-9787
关键词压阻式 三轴集成加速度计 绝缘体上硅 抗过载
中文摘要针对加速度计在碰撞中过载失效的问题,提出了一种基于SoI的具有抗过载能力的压阻式三轴集成加速度计。加速度计采用三质量块结构,利用深反应离子刻蚀(DRIE)释放出来的间隙实现横向过载保护,同时利用SoI片,在硅〈100〉平面上通过KOH腐蚀硅〈110〉补偿条形成凸角实现纵向过载保护。封装后的加速度计利用激振台和落锤法进行了测试。测试结果表明:加速度计的三轴灵敏度分别为2.56,2.54,2.05 mV/gn,分辨率分别为0.53,0.87,0.77 mgn,三轴方向均具有超过3000 gn的抗过载能力。
收录类别CNKI2012-171
语种中文
公开日期2013-02-22
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110949]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王军诚,吴艳红,孙科,等. 全方位抗过载的压阻式三轴加速度计[J]. 传感器与微系统,2012(11):87-90.
APA 王军诚,吴艳红,孙科,杨恒,&李昕欣.(2012).全方位抗过载的压阻式三轴加速度计.传感器与微系统(11),87-90.
MLA 王军诚,et al."全方位抗过载的压阻式三轴加速度计".传感器与微系统 .11(2012):87-90.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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