基于金硅原电池保护电容加速度计的制作
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王辉 ; 吴燕红 ; 杨恒 |
| 刊名 | 传感器与微系统
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 1页码:133-136 |
| 关键词 | 电容加速度计 金硅原电池 反熔丝 腐蚀自停止 |
| ISSN号 | 1000-9787 |
| 中文摘要 | 提出并实现了一种利用SoI结合金硅原电池保护和反熔丝制作电容式加速度计的新工艺方法。该工艺用SoI顶层硅制作梁和上电极,用衬底制作质量块。采用DRIE从正面刻蚀形成释放孔,TMAH腐蚀实现质量块的释放,在TMAH腐蚀过程中利用金硅原电池保护实现梁和表面极板的保护。在TMAH腐蚀完成前,反镕丝保持断开状态,腐蚀完成后,击穿反镕丝形成导通状态。通过测量金和硅的极化曲线得到60℃25%TMAH中实现原电池保护的金硅面积比不小于5∶1。成功制作成电容式加速度计结构,释放前后梁宽度均在9.4～10μm范围内,表明原电池保护有效。击穿后反熔丝并联导通电阻为5～25 kΩ之间。 |
| 收录类别 | CNKI2012-029 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110986]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王辉,吴燕红,杨恒. 基于金硅原电池保护电容加速度计的制作[J]. 传感器与微系统,2012(1):133-136. |
| APA | 王辉,吴燕红,&杨恒.(2012).基于金硅原电池保护电容加速度计的制作.传感器与微系统(1),133-136. |
| MLA | 王辉,et al."基于金硅原电池保护电容加速度计的制作".传感器与微系统 .1(2012):133-136. |
入库方式： OAI收割
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