基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘米丰 ; 熊斌 ; 徐德辉 ; 王跃林 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 5页码:456-462 |
| 关键词 | 共面波导 插入损耗 二氟化氙 硅腐蚀 低阻硅衬底 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 在低阻硅(1~10Ω.cm)衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波导悬浮信号线最大翘曲量分别为10μm和16μm。微波性能测试结果表明两种悬浮结构共面波导在1~10 GHz频率范围内插入损耗分别低于4.5 dB/2 mm和3.2 dB/2 mm,远小于制作在低阻硅衬底上的普通共面波导插入损耗9.4 dB/2 mm;在1~3 GHz频率范围内插入损耗分别低于0.54 dB/2 mm和0.17 dB/2 mm,小于制作在高阻硅(1 400~1 500Ω.cm)衬底上普通共面波导的插入损耗0.55 dB/2 mm。 |
| 收录类别 | CNKI2012-170 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/110999]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘米丰,熊斌,徐德辉,等. 基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导[J]. 固体电子学研究与进展,2012(5):456-462. |
| APA | 刘米丰,熊斌,徐德辉,&王跃林.(2012).基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导.固体电子学研究与进展(5),456-462. |
| MLA | 刘米丰,et al."基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导".固体电子学研究与进展 .5(2012):456-462. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。