基于SCR的SOI ESD保护器件研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 夏超 ; 王中健 ; 何大伟 ; 徐大伟 ; 张有为 ; 程新红 ; 俞跃辉 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 1页码:17-22 |
| 关键词 | SOI ESD SCR Sentaurus 保护器件 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度(0.8-1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度(2-4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加。 |
| 收录类别 | CNKI2012-044 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111000]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏超,王中健,何大伟,等. 基于SCR的SOI ESD保护器件研究[J]. 功能材料与器件学报,2012(1):17-22. |
| APA | 夏超.,王中健.,何大伟.,徐大伟.,张有为.,...&俞跃辉.(2012).基于SCR的SOI ESD保护器件研究.功能材料与器件学报(1),17-22. |
| MLA | 夏超,et al."基于SCR的SOI ESD保护器件研究".功能材料与器件学报 .1(2012):17-22. |
入库方式： OAI收割
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