高电源抑制比低温漂带隙基准源设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡佳俊 ; 陈后鹏 ; 蔡道林 ; 宋志棠 ; 周桂华 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 1页码:34-37 |
| 关键词 | 带隙基准源 负反馈 电源抑制比 BiCMOS |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 中文摘要 | 根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。 |
| 收录类别 | CNKI2012-013 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111014]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡佳俊,陈后鹏,蔡道林,等. 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计[J]. 微电子学,2012(1):34-37. |
| APA | 胡佳俊,陈后鹏,蔡道林,宋志棠,&周桂华.(2012).高电源抑制比低温漂带隙基准源设计.微电子学(1),34-37. |
| MLA | 胡佳俊,et al."高电源抑制比低温漂带隙基准源设计".微电子学 .1(2012):34-37. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。