电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 倪鹤南 ; 吴良才 ; 宋志棠 ; 惠唇 |
| 刊名 | 稀有金属材料与工程
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 1页码:1-4 |
| 关键词 | 纳米晶存储器 镍纳米晶 MOS 结构 电荷存储特性 |
| ISSN号 | 1002-185X |
| 中文摘要 | 研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。 |
| 收录类别 | CNKI2012-009 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111021]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倪鹤南,吴良才,宋志棠,等. 电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)[J]. 稀有金属材料与工程,2012(1):1-4. |
| APA | 倪鹤南,吴良才,宋志棠,&惠唇.(2012).电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文).稀有金属材料与工程(1),1-4. |
| MLA | 倪鹤南,et al."电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)".稀有金属材料与工程 .1(2012):1-4. |
入库方式： OAI收割
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