铂微电极位点上氧化铝纳米孔的制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘彬 ; 张缓缓 ; 金庆辉 ; 刘咏松 |
| 刊名 | 化学通报
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 2页码:172-175 |
| 关键词 | 多孔氧化铝 微电极 铂基 氧化电压 生长机理 |
| ISSN号 | 0441-3776 |
| 中文摘要 | 金属微电极表面的纳米级处理可以大大提高电极的性能。本文基于微加工及电化学技术在铂微电极位点上制备了一致性良好的氧化铝纳米结构。通过对基片铂层表面等离子体处理,使铝膜与铂层之间粘附力明显增强。利用二次阳极氧化法,在铂微电极位点上制备出纳米孔。结果表明,30V是该条件下比较理想的氧化电压。同时,通过对氧化过程中电流的监测,发现当铝膜完全氧化后电流大幅上升,可将此现象作为终止阳极氧化的标志。这种微电极位点处的氧化铝模板可进一步用于不同材料纳米微电极的制备。 |
| 收录类别 | CNKI2012-008 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111034]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘彬,张缓缓,金庆辉,等. 铂微电极位点上氧化铝纳米孔的制备[J]. 化学通报,2012(2):172-175. |
| APA | 刘彬,张缓缓,金庆辉,&刘咏松.(2012).铂微电极位点上氧化铝纳米孔的制备.化学通报(2),172-175. |
| MLA | 刘彬,et al."铂微电极位点上氧化铝纳米孔的制备".化学通报 .2(2012):172-175. |
入库方式： OAI收割
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