SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈达 ; 刘林杰 ; 薛忠营 ; 刘肃 ; 贾晓云 |
| 刊名 | 材料导报
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 14页码:22-24+32 |
| 关键词 | 薄膜 减压化学气相沉积 硅锗 负载影响 |
| ISSN号 | 1005-023X |
| 中文摘要 | 利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜。 |
| 收录类别 | CNKI2012-131 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111041]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈达,刘林杰,薛忠营,等. SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究[J]. 材料导报,2012(14):22-24+32. |
| APA | 陈达,刘林杰,薛忠营,刘肃,&贾晓云.(2012).SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究.材料导报(14),22-24+32. |
| MLA | 陈达,et al."SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究".材料导报 .14(2012):22-24+32. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。