N型掺杂应变Ge发光性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄诗浩 ; 李成 ; 陈城钊 ; 郑元宇 ; 赖虹凯 ; 陈松岩 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 3页码:356-363 |
| 关键词 | 应变 N型掺杂Ge 量子效率 光增益 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争,计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质.结果表明,张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光.在1.5%张应变条件下,N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%,光增益可以与Ⅲ-V族材料相比拟. |
| 收录类别 | CNKI2012-004 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111047]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄诗浩,李成,陈城钊,等. N型掺杂应变Ge发光性质[J]. 物理学报,2012(3):356-363. |
| APA | 黄诗浩,李成,陈城钊,郑元宇,赖虹凯,&陈松岩.(2012).N型掺杂应变Ge发光性质.物理学报(3),356-363. |
| MLA | 黄诗浩,et al."N型掺杂应变Ge发光性质".物理学报 .3(2012):356-363. |
入库方式： OAI收割
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