MEMS谐振器的并联电容噪声抑制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 唐梦 ; 冯明 ; 程新红 |
| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 5页码:318-322 |
| 关键词 | MEMS谐振器 质量传感器 生化检测 电容补偿 频率噪声 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 中文摘要 | 由于谐振频率和谐振器质量呈线性关系,基于MEMS谐振器的等效机械和电路模型,可用于质量传感器应用。然而,动态模式下的MEMS谐振器具有容性传导特性,其两端口结构在电极之间会存在并联电容,扭曲其传输特性,增加整个系统的频率噪声。虽然通过改进工艺可以一定程度地降低并联电容,然而工艺的复杂度和成本会因此大大增加。针对这个问题,提出了纯电路的改进策略,使用可调电容或同等MEMS对两种方式来补偿并联电容的影响,从而降低频率噪声。实验测量结果显示补偿后频率噪声大大减少,分别从300和100 Hz降低到了100和1 Hz,大大满足了其应用精度要求。 |
| 收录类别 | CNKI2012-082 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111048]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐梦,冯明,程新红. MEMS谐振器的并联电容噪声抑制[J]. 微纳电子技术,2012(5):318-322. |
| APA | 唐梦,冯明,&程新红.(2012).MEMS谐振器的并联电容噪声抑制.微纳电子技术(5),318-322. |
| MLA | 唐梦,et al."MEMS谐振器的并联电容噪声抑制".微纳电子技术 .5(2012):318-322. |
入库方式： OAI收割
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