InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王凯 ; 顾溢 ; 方祥 ; 周立 ; 李成 ; 李好斯白音 ; 张永刚 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 5页码:385-388+398 |
| 关键词 | 化合物半导体 分子束外延 InAlGaAs X射线衍射 光致发光 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | 采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着Al组分的增加,样品的光致发光强度、电子浓度和迁移率均有所下降.样品的三族元素组分由光致发光及X射线衍射实验获得,测试结果与设计值吻合,Al组分的实验设计值与测试结果的关系提供了一种实用的精确控制组分的方法. |
| 收录类别 | CNKI2012-156 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111053]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王凯,顾溢,方祥,等. InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)[J]. 红外与毫米波学报,2012(5):385-388+398. |
| APA | 王凯.,顾溢.,方祥.,周立.,李成.,...&张永刚.(2012).InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文).红外与毫米波学报(5),385-388+398. |
| MLA | 王凯,et al."InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)".红外与毫米波学报 .5(2012):385-388+398. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。