InAs/InP量子点激光器制备工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李世国 ; 龚谦 ; 王瑞春 ; 王新中 ; 陈朋 ; 曹春芳 ; 岳丽 ; 刘庆博 |
| 刊名 | 光电子.激光
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 1页码:94-97 |
| 关键词 | 激光器 量子点 腐蚀溶液 腐蚀方向 |
| ISSN号 | 1005-0086 |
| 中文摘要 | 报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。 |
| 收录类别 | CNKI2012-026 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111054]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李世国,龚谦,王瑞春,等. InAs/InP量子点激光器制备工艺研究[J]. 光电子.激光,2012(1):94-97. |
| APA | 李世国.,龚谦.,王瑞春.,王新中.,陈朋.,...&刘庆博.(2012).InAs/InP量子点激光器制备工艺研究.光电子.激光(1),94-97. |
| MLA | 李世国,et al."InAs/InP量子点激光器制备工艺研究".光电子.激光 .1(2012):94-97. |
入库方式： OAI收割
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