InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周守利 ; 杨万春 ; 任宏亮 ; 李伽 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 12页码:572-577 |
| 关键词 | InAlAs/GaSbAs InP/GaSbAs Ⅱ型双异质结双极晶体管 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C异质结构均为全交错Ⅱ型能带结构的InP/GaSbAs/InP DHBT的性能相比,E-B异质结采用传统Ⅰ型、B-C异质结采用交错Ⅱ型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InP DHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能. |
| 收录类别 | CNKI2012-095 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-02-22 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111055]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周守利,杨万春,任宏亮,等. InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析[J]. 物理学报,2012(12):572-577. |
| APA | 周守利,杨万春,任宏亮,&李伽.(2012).InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析.物理学报(12),572-577. |
| MLA | 周守利,et al."InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析".物理学报 .12(2012):572-577. |
入库方式： OAI收割
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