Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates
文献类型：期刊论文
| 作者 | Dong, L ; Sun, GS ; Zheng, L ; Liu, XF ; Zhang, F ; Yan, GG ; Zhao, WS ; Wang, L ; Li, XG ; Wang, ZG |
| 刊名 | journal of physics d-applied physics
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 45期号:24页码:245102 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23649]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Dong, L,Sun, GS,Zheng, L,et al. Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates[J]. journal of physics d-applied physics,2012,45(24):245102. |
| APA | Dong, L.,Sun, GS.,Zheng, L.,Liu, XF.,Zhang, F.,...&Wang, ZG.(2012).Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates.journal of physics d-applied physics,45(24),245102. |
| MLA | Dong, L,et al."Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates".journal of physics d-applied physics 45.24(2012):245102. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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