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Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures

文献类型:期刊论文

作者Liu, GP ; Wu, J ; Zhao, GJ ; Liu, SM ; Mao, W ; Hao, Y ; Liu, CB ; Yang, SY ; Liu, XL ; Zhu, QS ; Wang, ZG
刊名applied physics letters
出版日期2012
卷号100期号:8页码:82101
学科主题半导体材料
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-03-17
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23708]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu, GP,Wu, J,Zhao, GJ,et al. Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures[J]. applied physics letters,2012,100(8):82101.
APA Liu, GP.,Wu, J.,Zhao, GJ.,Liu, SM.,Mao, W.,...&Wang, ZG.(2012).Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures.applied physics letters,100(8),82101.
MLA Liu, GP,et al."Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures".applied physics letters 100.8(2012):82101.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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