InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, XK ; Liang, DC ; Jin, P ; An, Q ; Wei, H ; Wu, J ; Wang, ZG |
| 刊名 | chinese physics b
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 21期号:2页码:28102 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23712]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, XK,Liang, DC,Jin, P,et al. InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm[J]. chinese physics b,2012,21(2):28102. |
| APA | Li, XK.,Liang, DC.,Jin, P.,An, Q.,Wei, H.,...&Wang, ZG.(2012).InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm.chinese physics b,21(2),28102. |
| MLA | Li, XK,et al."InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm".chinese physics b 21.2(2012):28102. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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