Morphological Evolution of a-GaN on r-Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Sang, L ; Liu, JM ; Xu, XQ ; Wang, J ; Zhao, GJ ; Liu, CB ; Gu, CY ; Liu, GP ; Wei, HY ; Liu, XL ; Yang, SY ; Zhu, QS ; Wang, ZG |
| 刊名 | chinese physics letters
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 29期号:2页码:26801 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23714]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Sang, L,Liu, JM,Xu, XQ,et al. Morphological Evolution of a-GaN on r-Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition[J]. chinese physics letters,2012,29(2):26801. |
| APA | Sang, L.,Liu, JM.,Xu, XQ.,Wang, J.,Zhao, GJ.,...&Wang, ZG.(2012).Morphological Evolution of a-GaN on r-Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.chinese physics letters,29(2),26801. |
| MLA | Sang, L,et al."Morphological Evolution of a-GaN on r-Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition".chinese physics letters 29.2(2012):26801. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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