Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ji, D ; Liu, B ; Lu, YW ; Liu, GP ; Zhu, QS ; Wang, ZG |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 100期号:13页码:132105 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-20 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23742]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ji, D,Liu, B,Lu, YW,et al. Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors[J]. applied physics letters,2012,100(13):132105. |
| APA | Ji, D,Liu, B,Lu, YW,Liu, GP,Zhu, QS,&Wang, ZG.(2012).Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors.applied physics letters,100(13),132105. |
| MLA | Ji, D,et al."Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors".applied physics letters 100.13(2012):132105. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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