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Refrigeration effect in a single-level quantum dot with thermal bias

文献类型:期刊论文

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作者Chi, F; Zheng, J; Liu, YS; Guo, Y
刊名applied physics letters ; APPLIED PHYSICS LETTERS
出版日期2012 ; 2012
卷号100期号:23页码:233106
学科主题半导体物理 ; 半导体物理
收录类别SCI
语种英语 ; 英语
公开日期2013-03-17 ; 2013-03-17
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23571]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Chi, F,Zheng, J,Liu, YS,et al. Refrigeration effect in a single-level quantum dot with thermal bias, Refrigeration effect in a single-level quantum dot with thermal bias[J]. applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS,2012, 2012,100, 100(23):233106, 233106.
APA Chi, F,Zheng, J,Liu, YS,&Guo, Y.(2012).Refrigeration effect in a single-level quantum dot with thermal bias.applied physics letters,100(23),233106.
MLA Chi, F,et al."Refrigeration effect in a single-level quantum dot with thermal bias".applied physics letters 100.23(2012):233106.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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