Photoluminescence study of low density InAs quantum clusters grown by molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Yu, Y; Li, MF; He, JF; Zhu, Y; Wang, LJ; Ni, HQ; He, ZH; Niu, ZC |
| 刊名 | nanotechnology
 ; NANOTECHNOLOGY
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| 出版日期 | 2012 ; 2012 |
| 卷号 | 23期号:6页码:65706 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-17 ; 2013-03-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23590]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu, Y,Li, MF,He, JF,et al. Photoluminescence study of low density InAs quantum clusters grown by molecular beam epitaxy, Photoluminescence study of low density InAs quantum clusters grown by molecular beam epitaxy[J]. nanotechnology, NANOTECHNOLOGY,2012, 2012,23, 23(6):65706, 65706. |
| APA | Yu, Y.,Li, MF.,He, JF.,Zhu, Y.,Wang, LJ.,...&Niu, ZC.(2012).Photoluminescence study of low density InAs quantum clusters grown by molecular beam epitaxy.nanotechnology,23(6),65706. |
| MLA | Yu, Y,et al."Photoluminescence study of low density InAs quantum clusters grown by molecular beam epitaxy".nanotechnology 23.6(2012):65706. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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