Dopant Segregation and Nickel Stanogermanide Contact Formation on p(+) Ge0.947Sn0.053 Source/Drain
文献类型：期刊论文
| 作者 | Han, GQ ; Su, SJ ; Zhou, Q ; Guo, PF ; Yang, Y ; Zhan, CL ; Wang, LX ; Wang, W ; Wang, QM ; Xue, CL ; Cheng, BW ; Yeo, YC |
| 刊名 | ieee electron device letters
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 33期号:5页码:634-636 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23636]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han, GQ,Su, SJ,Zhou, Q,et al. Dopant Segregation and Nickel Stanogermanide Contact Formation on p(+) Ge0.947Sn0.053 Source/Drain[J]. ieee electron device letters,2012,33(5):634-636. |
| APA | Han, GQ.,Su, SJ.,Zhou, Q.,Guo, PF.,Yang, Y.,...&Yeo, YC.(2012).Dopant Segregation and Nickel Stanogermanide Contact Formation on p(+) Ge0.947Sn0.053 Source/Drain.ieee electron device letters,33(5),634-636. |
| MLA | Han, GQ,et al."Dopant Segregation and Nickel Stanogermanide Contact Formation on p(+) Ge0.947Sn0.053 Source/Drain".ieee electron device letters 33.5(2012):634-636. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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