Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | Hu, WX ; Cheng, BW ; Xue, CL ; Zhang, GZ ; Su, SJ ; Zuo, YH ; Wang, QM |
| 刊名 | chinese physics b
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 21期号:1页码:17805 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23686]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hu, WX,Cheng, BW,Xue, CL,et al. Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon[J]. chinese physics b,2012,21(1):17805. |
| APA | Hu, WX.,Cheng, BW.,Xue, CL.,Zhang, GZ.,Su, SJ.,...&Wang, QM.(2012).Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon.chinese physics b,21(1),17805. |
| MLA | Hu, WX,et al."Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon".chinese physics b 21.1(2012):17805. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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