852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王立军 ; 秦莉; 张星; 曾玉刚; 宁永强
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2012-06-15 |
| 期号 | 06页码:640-646 |
| 关键词 | 激光器 AlGaInAs 量子阱 数值模拟 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27239]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立军,秦莉,张星,等. 852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性[J]. 发光学报,2012(06):640-646. |
| APA | 王立军,秦莉,张星,曾玉刚,&宁永强.(2012).852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性.发光学报(06),640-646. |
| MLA | 王立军,et al."852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性".发光学报 .06(2012):640-646. |
入库方式： OAI收割
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