GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈一仁 ; 李志明; 蒋红; 黎大兵; 宋航; 孙晓娟; 缪国庆
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2012-10-15 |
| 期号 | 10页码:1089-1094 |
| 关键词 | AlN GaN缓冲层 晶体结构 晶粒尺寸 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27272]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈一仁,李志明,蒋红,等. GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)[J]. 发光学报,2012(10):1089-1094. |
| APA | 陈一仁.,李志明.,蒋红.,黎大兵.,宋航.,...&缪国庆.(2012).GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文).发光学报(10),1089-1094. |
| MLA | 陈一仁,et al."GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)".发光学报 .10(2012):1089-1094. |
入库方式： OAI收割
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