MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线
文献类型：期刊论文
| 作者 | 缪国庆
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2012-03-15 |
| 期号 | 03页码:294-298 |
| 关键词 | 自催化法 金属有机化学气相沉积 InP/InGaAs核壳结构 纳米线 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27286]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆. MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线[J]. 发光学报,2012(03):294-298. |
| APA | 缪国庆.(2012).MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线.发光学报(03),294-298. |
| MLA | 缪国庆."MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线".发光学报 .03(2012):294-298. |
入库方式： OAI收割
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