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初始化生长条件对a-GaN中应变的影响

文献类型:期刊论文

作者孙晓娟; 李志明; 缪国庆; 蒋红; 宋航; 黎大兵; 陈一仁
刊名发光学报
出版日期2012-06-15
期号06页码:581-585
关键词a-GaN 各向异性 拉曼散射光谱 残余应变
公开日期2013-03-11
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27385]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
孙晓娟,李志明,缪国庆,等. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响[J]. 发光学报,2012(06):581-585.
APA 孙晓娟.,李志明.,缪国庆.,蒋红.,宋航.,...&陈一仁.(2012).初始化生长条件对a-GaN中应变的影响.发光学报(06),581-585.
MLA 孙晓娟,et al."初始化生长条件对a-GaN中应变的影响".发光学报 .06(2012):581-585.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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