初始化生长条件对a-GaN中应变的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 孙晓娟![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 发光学报
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出版日期 | 2012-06-15 |
期号 | 06页码:581-585 |
关键词 | a-GaN 各向异性 拉曼散射光谱 残余应变 |
公开日期 | 2013-03-11 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27385] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙晓娟,李志明,缪国庆,等. 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响[J]. 发光学报,2012(06):581-585. |
APA | 孙晓娟.,李志明.,缪国庆.,蒋红.,宋航.,...&陈一仁.(2012).初始化生长条件对a-GaN中应变的影响.发光学报(06),581-585. |
MLA | 孙晓娟,et al."初始化生长条件对a-GaN中应变的影响".发光学报 .06(2012):581-585. |
入库方式: OAI收割
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