利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层
文献类型：期刊论文
| 作者 | 缪国庆
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2011-06-15 |
| 期号 | 06页码:612-616 |
| 关键词 | In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 缓冲层 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27916]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪国庆. 利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层[J]. 发光学报,2011(06):612-616. |
| APA | 缪国庆.(2011).利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层.发光学报(06),612-616. |
| MLA | 缪国庆."利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层".发光学报 .06(2011):612-616. |
入库方式： OAI收割
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