两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申德振
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| 刊名 | 真空科学与技术
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| 出版日期 | 2001-08-05 |
| 期号 | 04页码:80-85 |
| 关键词 | a-Si1xCx∶H 电子自旋共振 红外光谱 透射反射谱 退火 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28365]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振. 两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究[J]. 真空科学与技术,2001(04):80-85. |
| APA | 申德振.(2001).两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究.真空科学与技术(04),80-85. |
| MLA | 申德振."两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究".真空科学与技术 .04(2001):80-85. |
入库方式： OAI收割
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