Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋航 ; 蒋红; 缪国庆
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| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2002-08-30 |
| 期号 | 04页码:271-273 |
| 关键词 | 铟镓砷 Ⅴ/Ⅲ比 低压金属有机化学气相沉积 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28573]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋航,蒋红,缪国庆. Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响[J]. 半导体光电,2002(04):271-273. |
| APA | 宋航,蒋红,&缪国庆.(2002).Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响.半导体光电(04),271-273. |
| MLA | 宋航,et al."Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响".半导体光电 .04(2002):271-273. |
入库方式： OAI收割
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