H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王辉 ; 缪国庆; 蒋红; 宋航
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| 刊名 | 长春理工大学学报
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| 出版日期 | 2005-03-30 |
| 期号 | 01页码:90-92 |
| 关键词 | 碳化硅 H2稀释度 热丝CVD |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28615]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王辉,缪国庆,蒋红,等. H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响[J]. 长春理工大学学报,2005(01):90-92. |
| APA | 王辉,缪国庆,蒋红,&宋航.(2005).H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响.长春理工大学学报(01),90-92. |
| MLA | 王辉,et al."H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响".长春理工大学学报 .01(2005):90-92. |
入库方式： OAI收割
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