利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申德振 ; 李炳辉
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2003-06-30 |
| 期号 | 03页码:275-278 |
| 关键词 | 氧化锌 等离子体辅助分子束外延(P-MBE) X射线衍射 光致发光 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28709]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振,李炳辉. 利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜[J]. 发光学报,2003(03):275-278. |
| APA | 申德振,&李炳辉.(2003).利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜.发光学报(03),275-278. |
| MLA | 申德振,et al."利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜".发光学报 .03(2003):275-278. |
入库方式： OAI收割
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