生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蒋红 ; 宋航; 缪国庆
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2002-10-30 |
| 期号 | 05页码:465-468 |
| 关键词 | 铟镓砷 生长温度 低压金属有机化学气相沉积 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29107]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋红,宋航,缪国庆. 生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响[J]. 发光学报,2002(05):465-468. |
| APA | 蒋红,宋航,&缪国庆.(2002).生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响.发光学报(05),465-468. |
| MLA | 蒋红,et al."生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响".发光学报 .05(2002):465-468. |
入库方式： OAI收割
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