低温p-Si薄膜的制备研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 荆海 ; 邱法斌 ; 刘传珍 ; 付国柱 |
| 刊名 | 世界电子元器件
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| 出版日期 | 2001-11-15 |
| 期号 | 11页码:11-12 |
| 关键词 | 薄膜材料:4711 激光能量密度:4246 多晶硅:4023 膜的制备:3777 激光退火:3106 金属诱导:2364 液晶显示技术:2337 硅薄膜:1706 结晶度:1693 中国科学院:1680 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29123]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荆海,邱法斌,刘传珍,等. 低温p-Si薄膜的制备研究[J]. 世界电子元器件,2001(11):11-12. |
| APA | 荆海,邱法斌,刘传珍,&付国柱.(2001).低温p-Si薄膜的制备研究.世界电子元器件(11),11-12. |
| MLA | 荆海,et al."低温p-Si薄膜的制备研究".世界电子元器件 .11(2001):11-12. |
入库方式： OAI收割
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