ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申德振 ; 张振中
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2003-02-28 |
| 期号 | 01页码:61-65 |
| 关键词 | 硒化锌薄膜 Si衬底 ZnO缓冲层 LP-MOCVD |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29223]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振,张振中. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响[J]. 发光学报,2003(01):61-65. |
| APA | 申德振,&张振中.(2003).ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响.发光学报(01),61-65. |
| MLA | 申德振,et al."ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响".发光学报 .01(2003):61-65. |
入库方式： OAI收割
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