基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王立军 ; 宁永强
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| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2002-07-17 |
| 期号 | 07页码:870-873 |
| 关键词 | 耦合量子阱 Fano干涉 光开关 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29318]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立军,宁永强. 基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关[J]. 光学学报,2002(07):870-873. |
| APA | 王立军,&宁永强.(2002).基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关.光学学报(07),870-873. |
| MLA | 王立军,et al."基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关".光学学报 .07(2002):870-873. |
入库方式： OAI收割
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