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MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

文献类型:期刊论文

作者宋航; 蒋红; 缪国庆
刊名发光学报
出版日期2003-12-30
期号06页码:632-636
关键词金属有机化学气相沉积 InP/GaInAsP 分布布喇格反射结构
公开日期2013-03-11
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29502]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
宋航,蒋红,缪国庆. MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性[J]. 发光学报,2003(06):632-636.
APA 宋航,蒋红,&缪国庆.(2003).MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性.发光学报(06),632-636.
MLA 宋航,et al."MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性".发光学报 .06(2003):632-636.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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